新时汽车网 汽车资讯 东芝推出车规级40V N沟道功率MOSFET 采用其最新U-MOS IX-H工艺

东芝推出车规级40V N沟道功率MOSFET 采用其最新U-MOS IX-H工艺

盖世汽车讯 据外媒报道,东芝电子欧洲分公司(Toshiba Electronics Europe)推出一对采用其最新U-MOS IX-H工艺的车规级40V N沟道功率MOSFET。新器件采用新型S-TOGLTM(Small Transistor Outline Gull-wing Leads,小型晶体管鸥翼引线)封装,可在汽车应用中提供多种优势。

图片来源:东芝

文章来源于互联网:东芝推出车规级40V N沟道功率MOSFET 采用其最新U-MOS IX-H工艺

本文来自网络,不代表新时汽车网立场,转载请注明出处:https://www.xinshiqc.com/kasrjq12/7262.html

索尔维推出新型KetaSpire PEEK 用于单层电机漆包线绝缘

联系我们

联系我们

028-69165126

在线咨询: QQ交谈

邮箱: aizhany@sina.com

工作时间:周一至周五,9:00-17:30,节假日休息

返回顶部